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参数资料
| 型号： | MMSZ3V3ET3G |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 425-04, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | MMSZ3V3ET3G |
MMSZ2V4ET1 Series
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless
otherwise noted, VF = 0.95 V Max. @ IF = 10 mA)
Symbol
Parameter
VZ
Reverse Zener Voltage @ IZT
IZT
Reverse Current
ZZT
Maximum Zener Impedance @ IZT
IR
Reverse Leakage Current @ VR
VR
Reverse Voltage
IF
Forward Current
VF
Forward Voltage @ IF
Zener Voltage Regulator
IF
V
I
IR
IZT
VR
VZ
VF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MMSZ36ET1G | 36 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
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| MMSZ4709-TP | 24 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ4710-TP | 25 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ4714-TP | 33 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSZ3V3T1 | 功能描述:稳压二极管 3.3V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ3V3T1G | 功能描述:稳压二极管 3.3V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ3V3T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Zener Diode |
| MMSZ3V3T1H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMSZ3V3T3 | 功能描述:稳压二极管 3.3V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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