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参数资料
| 型号： | MMSZ4678T3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1.8 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | PLASTIC, CASE 425-04, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | MMSZ4678T3 |
MMSZ4678T1 Series
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless
otherwise noted, VF = 0.95 V Max. @ IF = 10 mA)
Symbol
Parameter
VZ
Reverse Zener Voltage @ IZT
IZT
Reverse Current
IR
Reverse Leakage Current @ VR
VR
Reverse Voltage
IF
Forward Current
VF
Forward Voltage @ IF
Zener Voltage Regulator
IF
V
I
IR
IZT
VR
VZ
VF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSZ4702T3 | 15 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ4709T3 | 24 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MBR160TR | 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| MZP4750ATA | 27 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| MBR3050CT | 30 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSZ4678T3G | 功能描述:稳压二极管 1.8V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ4678-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:DIODE ZENER 1.8V 500MW SOD-123 |
| MMSZ4679 | 制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:ZENER DIODES |
| MMSZ4679T1 | 功能描述:稳压二极管 2V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ4679T1G | 功能描述:稳压二极管 2V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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