参数资料
型号: MMSZ4679FL
厂商: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: PLASTIC PACKAGE-2
文件页数: 1/5页
文件大小: 647K
代理商: MMSZ4679FL
THRU
500mW Silicon
Zener Diodes
Features
Zener Voltage 1.8V-30V
Very Sharp Reverse Characteristic
VZ – tolerance ± 5%
High Reliability
Maximum Ratings
Symbol
Value
Units
Max. Steady State Power
Dissipation at
TL<75
OC, Lead Length=3/8”
PD
500
mW
Junction Temperature
TJ
150
Storage Temperature Range
TSTG
-
55 to 150
Thermal Resistance( Junction
to Ambient)
R
thJA
3
40
K/W
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified
Symbol
Maximum
Unit
Max. Forward Voltage
@ IF=10mA
VF
0.95
V
NOTE:
1) Some part number series have lower JEDEC registered
ratings.
Mechanical Data
omponents
20736 Marilla Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
TM
Micro Commercial Components
Revision:
1
200
7/01/10
1 of 5
MMSZ4678FL
MMSZ4713FL
Polarity: Cathode indicated by polarity band
Case Material: Molded Plastic, UL Flammability Classification Rating 94V-0
A
B
C
D
E
G
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.14
6
.1
61
3.
70
4.10
B.1
10.126
2.
80
3.20
C
.05
9
.07
5
1.
501.90
D.0
51
.0
67
1.30
1.
70
E
G
.30(Typ.)
.012(Typ.)
.036(Typ.)
.90(Typ.)
SOD-123FL
www.mccsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
MADP-042508-13060G SILICON, PIN DIODE
MADP-042508-13060P SILICON, PIN DIODE
MA144769-287 C BAND, 5 GHz, SILICON, STEP RECOVERY DIODE
MMD837-E28 SILICON, STEP RECOVERY DIODE
MQ1.5KE220CE3TR 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
MMSZ4679T1 功能描述:稳压二极管 2V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ4679T1G 功能描述:稳压二极管 2V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ4679-TP 功能描述:DIODE ZENER 500MW 2V SOD123 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳(标称)(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT
MMSZ468 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:5% TOLERANCE
MMSZ4680 制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:ZENER DIODES