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参数资料
| 型号： | MMSZ4679FL |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 647K |
| 代理商： | MMSZ4679FL |
Micro Commercial Components
MCC
TM
Revision:
1
200
7/01/10
MMSZ4678FL thru MMSZ4713FL
.
www.mccsemi.com
3 of 5
TYPICAL CHARACTERISTICS
VZ
,TEMPERATURE
COEFFICIENT
(mV/
C)°
θ
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
Figure 1. Temperature Coefficients
(Temperature Range 55
°C to +150°C)
TYPICAL TC VALUES
VZ @ IZT
VZ
,TEMPERATURE
COEFFICIENT
(mV/
C)°
θ
100
10
1
10
100
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Figure 2. Temperature Coefficients
(Temperature Range 55
°C to +150°C)
VZ @ IZT
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
150
125
100
75
50
25
0
T, TEMPERATURE (5C)
Figure 3. Steady State Power Derating
PD versus TA
PD versus TL
P pk
,PEAK
SURGE
POWER
(W
ATTS)
0.1
PW, PULSE WIDTH (ms)
Figure 4. Maximum Nonrepetitive Surge Power
1
10
100
1000
100
10
1
RECTANGULAR
WAVEFORM, TA = 25°C
100
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE
Figure 5. Effect of Zener Voltage on
Zener Impedance
10
1
Z ZT
,DYNAMIC
IMPEDANCE
(
)
Ω
1000
100
10
1
TJ = 25°C
IZ(AC) = 0.1 IZ(DC)
f = 1 kHz
IZ = 1 mA
5 mA
20 mA
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Typical Forward Voltage
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
I F
,FOR
W
ARD
CURRENT
(mA)
1000
100
10
1
75 V (MMSZ5267B)
91 V (MMSZ5270B)
150°C
75°C 25°C
0°C
TYPICAL TC VALUES
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W
A
TTS)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MADP-042508-13060G | SILICON, PIN DIODE |
| MADP-042508-13060P | SILICON, PIN DIODE |
| MA144769-287 | C BAND, 5 GHz, SILICON, STEP RECOVERY DIODE |
| MMD837-E28 | SILICON, STEP RECOVERY DIODE |
| MQ1.5KE220CE3TR | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSZ4679T1 | 功能描述:稳压二极管 2V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ4679T1G | 功能描述:稳压二极管 2V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ4679-TP | 功能描述:DIODE ZENER 500MW 2V SOD123 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳（标称）(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
| MMSZ468 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:5% TOLERANCE |
| MMSZ4680 | 制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:ZENER DIODES |
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