收藏本站
参数资料
型号： MMSZ5237BW
元件分类： 齐纳二极管
英文描述： 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装： GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
文件页数： 1/5页
文件大小： 233K
代理商： MMSZ5237BW
Nov. 2008 Release, Revision D
Page 1
TAK CHEONG
SEMICONDUCTOR
500mW SOD-123 SURFACE MOUNT
Flat Lead Surface Mount Plastic Package
Zener Voltage Regulators
Green Product
Absolute Maximum Ratings
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
PD
Power Dissipation
500
mW
TSTG
Storage Temperature Range
-65 to +150
°C
TOPR
Operating Temperature Range
-65 to +150
°C
These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
Specification Features:
Wide Zener Voltage Range Selection, 3.0V to 75V
VZ Tolerance Selection of ±5%
Flat Lead SOD-123 Plastic Package
Surface Device Type Mounting
RoHS Compliant
Green EMC
Matte Tin(Sn) Lead Finish
Band Indicates Cathode
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
VZ @ IZT
(Volts)
Device
Type
Device
Marking
Min
Nom
Max
IZT
(mA)
ZZT @ IZT
(
Ω)
Max
ZZK @ IZK = 0.25mA
(
Ω)
Max
IR @ VR
(
μA)
Max
VR
(Volts)
MMSZ5221BW
Z2V4
2.28
2.4
2.52
20
30
1200
100
1
MMSZ5222BW
Z2V5
2.38
2.5
2.63
20
30
1250
100
1
MMSZ5223BW
Z2V7
2.57
2.7
2.84
20
30
1300
75
1
MMSZ5224BW
Z2V8
2.66
2.8
2.94
20
30
1400
75
1
MMSZ5225BW
Z3V0
2.85
3.0
3.15
20
29
1600
50
1
MMSZ5226BW
Z3V3
3.14
3.3
3.47
20
28
1600
25
1
MMSZ5227BW
Z3V6
3.42
3.6
3.78
20
24
1700
15
1
MMSZ5228BW
Z3V9
3.71
3.9
4.10
20
23
1900
10
1
MMSZ5229BW
Z4V3
4.09
4.3
4.52
20
22
2000
5
1
MMSZ5230BW
Z4V7
4.47
4.7
4.94
20
19
1900
5
2
MMSZ5231BW
Z5V1
4.85
5.1
5.36
20
17
1600
5
2
MMSZ5232BW
Z5V6
5.32
5.6
5.88
20
11
1600
5
3
MMSZ5233BW
Z6V0
5.70
6.0
6.30
20
7
1600
5
3.5
MMSZ5234BW
Z6V2
5.89
6.2
6.51
20
7
1000
5
4
MMSZ5235BW
Z6V8
6.46
6.8
7.14
20
5
750
3
5
MMSZ5236BW
Z7V5
7.13
7.5
7.88
20
6
500
3
6
MMSZ5237BW
Z8V2
7.79
8.2
8.61
20
8
500
3
6.5
MMSZ5238BW
Z8V7
8.27
8.7
9.14
20
8
600
3
6.5
MMSZ5239BW
Z9V1
8.65
9.1
9.56
20
10
600
3
7
MMSZ5240BW
Z10V
9.50
10
10.50
20
17
600
3
8
MMSZ5241BW
Z11V
10.45
11
11.55
20
22
600
2
8.4
MMSZ5242BW
Z12V
11.40
12
12.60
20
30
600
1
9.1
MMSZ5243BW
Z13V
12.35
13
13.65
9.5
13
600
0.5
9.9
ELECTRICAL SYMBOL
MMSZ5221BW
through
MMSZ5267BW
Cathode
Anode
SOD-123 Flat Lead
相关PDF资料
PDF描述
MA30KPA198CATR 30000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
MA30KPA39AE3 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
MA30KPA90A 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
MX30KPA184CA 30000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
MX30KPA30CAE3 30000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
MMSZ5237C-V-GS08 功能描述:稳压二极管 8.2 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5237C-V-GS18 功能描述:稳压二极管 8.2 Volt 0.5 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5237ET1 功能描述:稳压二极管 8.2V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5237ET1G 功能描述:稳压二极管 8.2V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5237ET3 功能描述:稳压二极管 8.2V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*