型号: | MMSZ5237BW |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 5/5页 |
文件大小: | 233K |
代理商: | MMSZ5237BW |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MA30KPA198CATR | 30000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
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MA30KPA90A | 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
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MX30KPA30CAE3 | 30000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMSZ5237C-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 8.2 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5237C-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 8.2 Volt 0.5 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5237ET1 | 功能描述:稳压二极管 8.2V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5237ET1G | 功能描述:稳压二极管 8.2V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5237ET3 | 功能描述:稳压二极管 8.2V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |