- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录202012 > MMSZ5237C (GENERAL SEMICONDUCTOR INC) 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMSZ5237C |
| 厂商： | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | MMSZ5237C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA44652B-30 | K BAND, 20 GHz, SILICON, STEP RECOVERY DIODE |
| MA46483-186A | VHF-KA BAND, 6.8 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MA4ST240-1141 | S BAND, 3.5 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MA46416-30 | VHF-KA BAND, 1.8 pF, 18 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MA46473-120A | VHF-KA BAND, 1.2 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSZ5237C-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 8.2 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5237C-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 8.2 Volt 0.5 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5237ET1 | 功能描述:稳压二极管 8.2V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5237ET1G | 功能描述:稳压二极管 8.2V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5237ET3 | 功能描述:稳压二极管 8.2V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。