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参数资料
| 型号： | MMSZ5250ET3G |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 20 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 425-04, 2 PIN |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | MMSZ5250ET3G |
MMSZ5221ET1 Series
http://onsemi.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
100
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Figure 7. Typical Capacitance
1000
100
10
1
10
1
BIAS AT
50% OF VZ NOM
TA = 25°C
0 V BIAS
1 V BIAS
12
VZ, ZENER VOLTAGE (V)
100
10
1
0.1
0.01
10
8
6
4
2
0
TA = 25°C
VZ, ZENER VOLTAGE (V)
100
10
1
0.1
0.01
10
30
50
70
90
TA = 25°C
90
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Figure 8. Typical Leakage Current
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
80
70
60
50
40
30
20
10
0
+150
°C
+25
°C
55
°C
Figure 9. Zener Voltage versus Zener Current
(VZ Up to 12 V)
Figure 10. Zener Voltage versus Zener Current
(12 V to 91 V)
I R
,LEAKAGE
CURRENT
(
m
A
)
I Z
,ZENER
CURRENT
(mA)
I Z
,ZENER
CURRENT
(mA)
100
Figure 11. 8
× 20 ms Pulse Waveform
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
020
4060
80
t, TIME (
ms)
tP
tr
PULSE WIDTH (tP) IS DEFINED
AS THAT POINT WHERE THE
PEAK CURRENT DECAY = 8
ms
HALF VALUE IRSM/2 @ 20 ms
%
OF
PEAK
PULSE
CURRENT
PEAK VALUE IRSM @ 8 ms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCL101B-TR3 | 0.03 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MAVR-000404CK-287 | HF-UHF BAND, 18 pF, 22 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MQ1N5222CE3 | 2.5 V, 0.417 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AA |
| MQ1N5229AE3 | 4.3 V, 0.417 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AA |
| MQ1N5233E3TR | 6 V, 0.417 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSZ5251B | 功能描述:稳压二极管 22V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5251B RH | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 22V 5% 500mW 2-Pin SOD-123F T/R |
| MMSZ5251B_Q | 功能描述:稳压二极管 22V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5251B-7 | 功能描述:稳压二极管 22V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5251B-7-F | 功能描述:稳压二极管 22V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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