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参数资料
| 型号： | MMSZ5269A |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 87 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | CASE 425-04, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | MMSZ5269A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR1130R | 12 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
| MR818 | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MR1376 | 12 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
| MURS105T3 | 2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MMBD1501AS62Z | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSZ5269BT1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Diode Zener Single 87V 5% 500mW 2-Pin SOD-123 T/R 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MMSZ5270BT1 | 功能描述:稳压二极管 91V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5270BT1G | 功能描述:稳压二极管 91V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5272BT3 | 功能描述:稳压二极管 110V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5272BT3G | 功能描述:稳压二极管 110V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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