参数资料
| 型号： | MMT05A230T3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | THYRIST TSPD BIDIR 50A 170V SMA |
| 标准包装： | 5,000 |
| 电压 - 击穿： | 265V |
| 电压 - 断路： | 170V |
| 电压 - 导通状态： | 3V |
| 电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs)： | 150A |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 50A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 1 |
| 电容： | 50pF |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | MMT05A230T3GOS |
MMT05A230T3, MMT05A260T3, MMT05A310T3
Voltage Current Characteristic of TSPD
(Bidirectional Device)
+ Current
Symbol
Parameter
I D1 , I D2
V D1 , V D2
Off State Leakage Current
Off State Blocking Voltage
V TM
V (BO)
V BR
V BO
Breakdown Voltage
Breakover Voltage
I H
I D1
I D2
I (BO)
I BO
Breakover Current
I H
V TM
Holding Current
On State Voltage
V D1
V D2
V (BR)
+ Voltage
100
V D1 = 50V
340
320
10
1
0.1
300
280
260
240
220
200
180
MMT05A310T3
MMT05A260T3
MMT05A230T3
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
160
? 2
?10
0
10
20
30
40
50
60
70
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 1. Off?State Current versus Temperature
0
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 2. Typical Breakdown Voltage versus
Temperature
http://onsemi.com
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMT05A260T3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 320V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MMT05A310T3 | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 365V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MMT05A310T3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 365V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MMT05B23 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Thyristor Surge Protectors |
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