参数资料
| 型号： | MMT05A230T3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | THYRIST TSPD BIDIR 50A 170V SMA |
| 标准包装： | 5,000 |
| 电压 - 击穿： | 265V |
| 电压 - 断路： | 170V |
| 电压 - 导通状态： | 3V |
| 电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs)： | 150A |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 50A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 1 |
| 电容： | 50pF |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | MMT05A230T3GOS |
MMT05A230T3, MMT05A260T3, MMT05A310T3
ORDERING INFORMATION
Device
MMT05A230T3
MMT05A230T3G
Package
SMA
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PBF
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5000 / Tape & Reel (12 mm Reel)
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MMT05A260T3
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5000 / Tape & Reel (12 mm Reel)
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MMT05A310T3
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5000 / Tape & Reel (12 mm Reel)
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?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMT05A260T3 | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 320V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MMT05A260T3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 320V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MMT05A310T3 | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 365V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MMT05A310T3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 365V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MMT05B23 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Thyristor Surge Protectors |
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