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参数资料
| 型号： | MMT05A260T3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 浪涌电流限制器 |
| 英文描述： | Thyristor Surge Protectors(晶阐管浪涌电压保护器) |
| 中文描述： | 320 V, SILICON SURGE PROTECTOR |
| 封装： | CASE 403D-02, SMA, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | MMT05A260T3 |
MMT05A230T3, MMT05A260T3, MMT05A310T3
http://onsemi.com
3
+ Current
+ Voltage
V
TM
V
(BO)
I
(BO)
I
D2
I
D1
V
D1
V
D2
V
(BR)
I
H
Symbol
I
D1
, I
D2
V
D1
, V
D2
V
BR
V
BO
I
BO
I
H
V
TM
Parameter
Off State Leakage Current
Off State Blocking Voltage
Breakdown Voltage
Breakover Voltage
Breakover Current
Holding Current
On State Voltage
Voltage Current Characteristic of TSPD
(Bidirectional Device)
Figure 1. OffState Current versus Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
140
120
100
80
60
40
20
0
100
10
1
0.1
0.01
I
Figure 2. Typical Breakdown Voltage versus
Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
VB
V
D1
= 50V
50
20
0
2
0
70
320
300
280
260
240
220
200
180
160
340
MMT05A230T3
MMT05A260T3
MMT05A310T3
μ
30
10
10
40
60
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MMT05A260T3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 320V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MMT05A310T3 | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 365V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MMT05A310T3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 365V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MMT05B23 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Thyristor Surge Protectors |
| MMT05B230T3 | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 265V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
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