参数资料
| 型号： | MMT08B350T3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TSPD BIDIRECT 350V 80A SMB |
| 标准包装： | 2,500 |
| 电压 - 击穿： | 400V |
| 电压 - 断路： | 300V |
| 电压 - 导通状态： | 3V |
| 电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs)： | 250A |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 80A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 1 |
| 电容： | 45pF |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MMT08B350T3
100
V D1 = 50V
400
390
10
380
1.0
0.1
0.01
370
360
350
340
330
0.001
?60 ?40 ?20
0
20 40
60
80
100 120 140
320
?60 ?40 ?20
0
20
40
60 80
100 120 1 40
440
430
420
410
400
390
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 1. Typical Off?State Current versus
Temperature
600
550
500
450
400
350
300
250
200
150
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 2. Typical Breakdown Voltage versus
Temperature
380
?60 ?40 ?20
0
20
40
60
80
100 120 140
100
?40 ?20
0
20 40 60 80
100
120
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 3. Maximum Breakover Voltage versus
Temperature
420
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 4. Typical Holding Current versus
Temperature
100
Peak
Value
t r = rise time to peak value
t f = decay time to half value
400
380
360
340
320
50
Half Value
300
280
260
240
0
0 t r
t f
220
10
100
1000
100000
TIME ( m s)
Figure 5. Exponential Decay Pulse Waveform
TIME (sec)
Figure 6. Peak Surge On?State Current versus
Surge Current Duration, Sinusoidal Waveform
http://onsemi.com
3
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PDF描述 |
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