型号: | MMUN2211LT1 |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network(NPN型偏置电阻晶体管) |
中文描述: | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
封装: | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
文件页数: | 1/12页 |
文件大小: | 99K |
代理商: | MMUN2211LT1 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMUN2211LT1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
MMUN2211LT1G_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor |
MMUN2211LT3 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
MMUN2211LT3G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |