参数资料
型号: MMUN2232LT3
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封装: TO-236AB, 3 PIN
文件页数: 11/12页
文件大小: 181K
代理商: MMUN2232LT3
MMUN2211LT1 SERIES
8
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL APPLICATIONS FOR NPN BRTs
LOAD
+12 V
Figure 22. Level Shifter: Connects 12 or 24 Volt Circuits to Logic
IN
OUT
VCC
ISOLATED
LOAD
FROM
P OR
OTHER LOGIC
+12 V
Figure 23. Open Collector Inverter: Inverts
the Input Signal
Figure 24. Inexpensive, Unregulated Current Source
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PDF描述
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MMUN2233LT3 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MN1911 OTHER DSP, PQFP84
MN5521Q MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PQFP208
相关代理商/技术参数
参数描述
MMUN2232RLT1 制造商:ETL 制造商全称:E-Tech Electronics LTD 功能描述:Bias Resistor Transistor
MMUN2233 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor
MMUN2233L 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 47 k
MMUN2233LT1 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
MMUN2233LT1G 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel