型号: | MP6X3TR |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 3 A, 60 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
封装: | MPT6, 6 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 114K |
代理商: | MP6X3TR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MP6Z13TR | 3 A, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
MP6Z2TR | 2 A, 32 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
MP6Z3TR | 3 A, 60 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
MP7002 | IGBT |
MPA201 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MP6Z1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Medium Power Transistor (-32V, -1A) |
MP6Z11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (?±30V / ?±1A) |
MP6Z12 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors |
MP6Z13 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors |
MP6Z13TR | 功能描述:TRANS ARRAY NPN/PNP 50V 3A MPT6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大):- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大:250mW 频率 - 转换:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商设备封装:PG-SOT363-6 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000747402 |