参数资料
型号: MPC8314ECVRADDA
厂商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类: 微控制器/微处理器
英文描述: MICROPROCESSOR, PBGA620
封装: 29 X 29 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TEPBGA-620
文件页数: 17/106页
文件大小: 1253K
代理商: MPC8314ECVRADDA
MPC8314E PowerQUICC II Pro Processor Hardware Specifications, Rev. 0
18
Freescale Semiconductor
DDR and DDR2 SDRAM
Table 14 provides the DDR capacitance when GVDD(typ) = 2.5 V.
Table 15 provides the current draw characteristics for MVREF.
7.2
DDR and DDR2 SDRAM AC Electrical Characteristics
This section provides the AC electrical characteristics for the DDR and DDR2 SDRAM interface.
7.2.1
DDR and DDR2 SDRAM Input AC Timing Specifications
Table 16 lists the input AC timing specifications for the DDR2 SDRAM (GVDD(typ) = 1.8 V).
Table 17 lists the input AC timing specifications for the DDR SDRAM when GVDD(typ)=2.5 V.
Table 14. DDR SDRAM Capacitance for GVDD(typ) = 2.5 V Interface
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Input/output capacitance: DQ,DQS
CIO
68
pF
1
Delta input/output capacitance: DQ, DQS
CDIO
—0.5
pF
1
Note:
1. This parameter is sampled. GVDD = 2.5 V ± 0.125 V, f = 1 MHz, TA =25°C, VOUT = GVDD/2, VOUT (peak-to-peak) = 0.2 V.
Table 15. Current Draw Characteristics for MVREF
Parameter / Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Note
Current draw for MVREF
IMVREF
500
μA1
Note:
1. The voltage regulator for MVREF must be able to supply up to 500 μA current.
Table 16. DDR2 SDRAM Input AC Timing Specifications for 1.8-V Interface
At recommended operating conditions with GVDD of 1.8V ± 100 mV
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
AC input low voltage
VIL
MVREF – 0.45
V
AC input high voltage
VIH
MVREF + 0.45
V
Table 17. DDR SDRAM Input AC Timing Specifications for 2.5 V Interface
At recommended operating conditions with GVDD of 2.5V ± 200 mV
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
AC input low voltage
VIL
MVREF – 0.51
V
AC input high voltage
VIH
MVREF + 0.51
V
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