参数资料
型号: MPC8535EBVTATHA
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 58/126页
文件大小: 0K
描述: MCU PWRQUICC II 1250MHZ 783-PBGA
标准包装: 1
系列: MPC85xx
处理器类型: 32-位 MPC85xx PowerQUICC III
速度: 1.25GHz
电压: 1V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 783-BBGA,FCBGA
供应商设备封装: 783-FCPBGA(29x29)
包装: 托盘
其它名称: MPC8535EBVTATH
MPC8535EBVTATH-ND
Electrical Characteristics
MPC8535E PowerQUICC III Integrated Processor Hardware Specifications, Rev. 5
Freescale Semiconductor
37
This figure provides the AC test load for the DDR bus.
Figure 11. DDR AC Test Load
2.7
eSPI
This section describes the DC and AC electrical specifications for the eSPI of the chip.
2.7.1
eSPI DC Electrical Characteristics
This table provides the DC electrical characteristics for the chip eSPI.
2.7.2
eSPI AC Timing Specifications
This table and provide the eSPI input and output AC timing specifications.
Table 20. SPI DC Electrical Characteristics
Characteristic
Symbol
Condition
Min
Max
Unit
Output high voltage
VOH
IOH = –6.0 mA
2.4
V
Output low voltage
VOL
IOL = 6.0 mA
0.5
V
Output low voltage
VOL
IOL = 3.2 mA
0.4
V
Input high voltage
VIH
—2.0
OVDD + 0.3
V
Input low voltage
VIL
–0.3
0.8
V
Input current
IIN
0 V
≤ VIN ≤ OVDD
—±10
μA
Table 21. SPI AC Timing Specifications1
Characteristic
Symbol 2
Min
Max
Unit
Note
SPI_MOSI output—Master data hold time
tNIKHOX
0.5
—ns
3
tNIKHOX
4.0
4
SPI_MOSI output—Master data delay
tNIKHOV
6.0
ns
3
tNIKHOV
7.4
4
SPI_CS outputs—Master data hold time
tNIKHOX2
0—
ns
Output
Z0 = 50 Ω
RL = 50 Ω
GVDD/2
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