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参数资料
| 型号： | MPC8569ECVTANKG |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | RISC PROCESSOR, PBGA783 |
| 封装： | 29 X 29 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-783 |
| 文件页数： | 77/126页 |
| 文件大小： | 2847K |
| 代理商： | MPC8569ECVTANKG |
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MPC8569E PowerQUICC III Integrated Processor Hardware Specifications, Rev. 0
Ethernet Interface
Freescale Semiconductor
54
2.6
Ethernet Interface
This section provides the AC and DC electrical characteristics for the Ethernet interfaces inside the QUICC Engine block.
2.6.1
GMII/SGMII/MII/SMII/RMII/TBI/RGMII/RTBI Electrical Characteristics
The electrical characteristics specified here apply to all gigabit media independent interface (GMII), serial gigabit media
independent interface (SGMII), media independent interface (MII), ten-bit interface (TBI), reduced gigabit media independent
interface (RGMII), reduced ten-bit interface (RTBI), and reduced media independent interface (RMII) signals except
management data input/output (MDIO) and management data clock (MDC). The RGMII and RTBI interfaces are defined for
2.5 V, while the GMII and TBI interfaces are defined for 3.3 V. The GMII, MII, and TBI interface timing is compatible with
IEEE Std 802.3. The RGMII and RTBI interfaces follow the Reduced Gigabit Media-Independent Interface (RGMII)
Specification Version 1.3 (12/10/2000). The RMII interface follows the RMII Consortium RMII Specification Version 1.2
(3/20/1998). The electrical characteristics for the SGMII is specified in Section 2.6.4, “SGMII Interface Electrical
Characteristics.” The electrical characteristics for MDIO and MDC are specified in Section 2.7, “Ethernet Management
2.6.2
GMII, MII, RMII, SMII, TBI, RGMII and RTBI DC Electrical
Characteristics
The following table shows the GMII, MII, RMII, SMII, and TBI DC electrical characteristics when operating from a 3.3 V
supply.
The following table shows the RGMII, and RTBI DC electrical characteristics when operating from a 2.5 V supply.
Table 23. GMII, MII, RMII, SMII, and TBI DC Electrical Characteristics
At recommended operating conditions with LVDD =3.3 V
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Input high voltage
VIH
2.0
—
V
1
Input low voltage
VIL
—0.90
V
—
Input high current (VIN = LVDD)IIH
—40
μA2
Input low current (VIN = GND)
IIL
–600
—
μA2
Output high voltage (LVDD = min, IOH = –4.0 mA)
VOH
2.1
LVDD + 0.3
V
—
Output low voltage (LVDD = min, IOL = 4.0 mA)
VOL
GND
0.50
V
—
Note:
1. The min VILand max VIH values are based on the respective min and max LVIN values found in Table 3.
Table 24. RGMII and RTBI DC Electrical Characteristics
At recommended operating conditions with LVDD =2.5 V
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
Input high voltage
VIH
1.70
—
V
—
Input low voltage
VIL
—0.70
V
—
Input high current (VIN = LVDD)IIH
—10
μA1
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