参数资料
型号: MPC8569VTANKGB
厂商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类: 微控制器/微处理器
英文描述: RISC PROCESSOR, PBGA783
封装: 29 X 29 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-783
文件页数: 70/126页
文件大小: 2847K
代理商: MPC8569VTANKGB
MPC8569E PowerQUICC III Integrated Processor Hardware Specifications, Rev. 0
DDR2 and DDR3 SDRAM Controller
Freescale Semiconductor
48
2.4.2
DDR2 and DDR3 SDRAM Interface AC Timing Specifications
This section provides the AC timing specifications for the DDR SDRAM controller interface. The DDR controller supports both
DDR2 and DDR3 memories. Note that the required GVDD(typ) voltage is 1.8 V or 1.5 V when interfacing to DDR2 or DDR3
SDRAM respectively.
2.4.2.1
DDR2 and DDR3 SDRAM Interface Input AC Timing Specifications
The following table provides the input AC timing specifications for the DDR controller when interfacing to DDR2 SDRAM.
The following table provides the input AC timing specifications for the DDR controller when interfacing to DDR3 SDRAM.
The following table provides the input AC timing specifications for the DDR controller when interfacing to DDR2 and DDR3
SDRAM.
Table 17. DDR2 SDRAM Interface Input AC Timing Specifications
At recommended operating conditions with GVDD of 1.8 V ± 5%
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
AC input low voltage
> 533 MHz data rate
VILAC
—MVREFn – 0.20
V
≤533 MHz data rate
MVREFn – 0.25
AC input high voltage
> 533 MHz data rate
VIHAC
MVREFn + 0.20
V
≤533 MHz data rate
MVREFn + 0.25
Table 18. DDR3 SDRAM Interface Input AC Timing Specifications
At recommended operating conditions with GVDD of 1.5 V ± 5%
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
AC input low voltage
VILAC
MVREFn – 0.175
V
AC input high voltage
VIHAC
MVREFn + 0.175
V
Table 19. DDR2 and DDR3 SDRAM Interface Input AC Timing Specifications3
At recommended operating conditions with GVDD of 1.8 V ± 5% for DDR2 or 1.5 V ± 5% for DDR3
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
Controller Skew for MDQS—MDQ/MECC
tCISKEW
——
ps
1
800 MHz data rate
–200
200
1
667 MHz data rate
–240
240
1
533 MHz data rate
–300
300
1
400 MHz data rate
–365
365
1
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