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参数资料
型号： MPF102D26Z
厂商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
文件页数： 2/7页
文件大小： 288K
代理商： MPF102D26Z
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
N-Channel RF Amplifier
( Continued)
Electrical Characteristics
TA= 25 degrees C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
V(BR)GSS
Gate-Source Breakdown Voltage
IG=-1.0
A, VDS=0
-25
V
IGSS
Gate Reverse Current
VGS=-15V,VDS=0
-2.0
nA
VGS(off)
Gate-Source Cutoff Voltage
VDS=15V, ID=2nA
-8.0
V
VGS
Gate-Source Voltage
VDS=15V, ID=200
A
-0.5
-7.5
V
ON CHARACTERISTICS
IDSS
Zero-Gate Voltage
Drain Current
VDS=15V,VGS=0
2.0
20
mA
gfs
Forward Transconductance
VGS= 0V,VDS=15V,f=1kHz.
2000
7500
S
Capacitance
Ciss
Common-Source Input
Capacitance
VGS=15V,VDS=0V
f=1 MHz.
7.0
pf
Crss
Common-Source reverse
Transfer Capacitance
VGS=15V,VDS=0V
f=1 MHz.
3.0
pf
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