型号: | MPS-A93 |
厂商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 500 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
封装: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 44K |
代理商: | MPS-A93 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MPS-A92 | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPS-D54 | 300 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92A |
MPS-H34 | HF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPS2222-BP | 600 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPS2222-AP | 600 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MPSA93_D26Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSA93_D27Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP High Vltg Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSA93_D74Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSA93_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSA93-A | 功能描述:两极晶体管 - BJT -500mA -200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |