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参数资料
型号： MPS2222A/E7
厂商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA
封装： PLASTIC, TO-92, 3 PIN
文件页数： 2/3页
文件大小： 26K
代理商： MPS2222A/E7
MPS2222A
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
www.vishay.com
Document Number 88231
2
10-May-02
Electrical Characteristics (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
VCE = 10 V, IC = 0.1 mA
35
——
VCE = 10 V, IC = 1 mA
50
——
VCE = 10 V, IC = 10 mA
75
——
DC Current Gain
hFE
VCE = 10 V, IC = 10 mA
35
———
TA = -55°C
VCE = 10 V, IC = 150 mA
(1)
100
—
300
VCE = 1.0 V, IC = 150 mA
(1)
50
——
VCE = 10 V, IC = 500 mA
(1)
40
——
Collector-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC = 10
A, IE = 0
75
——
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage(1)
V(BR)CEO
IC = 10 mA, IB = 0
40
——
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE = 10
A, IC = 0
6.0
——
V
Collector-Emitter Saturation Voltage(1)
VCEsat
IC = 150 mA, IB = 15 mA
——
0.3
V
IC = 500 mA, IB = 50 mA
——
1.0
Base-Emitter Saturation Voltage(1)
VBEsat
IC = 150 mA, IB = 15 mA
0.6
—
1.2
V
IC = 500 mA, IB = 50 mA
——
2.0
Collector Cut-off Current
ICEV
VEB = 3 V, VCE = 60 V
——
10
nA
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 60 V, IE = 0
——
0.01
A
VCB = 50V, IE =0,TA = 125°C
——
10
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB = 3 V, IC = 0
——
100
nA
Base Cut-off Current
IBL
VCE = 60 V, VEB = 3.0 V
——
20
nA
VCE = 10 V, IC = 1 mA,
2.0
—
8.0
Input Impedance
hie
f = 1 kHz
k
VCE = 10 V, IC = 10 mA,
0.25
—
1.25
f = 1 kHz
VCE = 10 V, IC = 1 mA,
——
8 10-4
Voltage Feedback Ratio
hre
f = 1 kHz
—
VCE = 10 V, IC = 10 mA,
——
4 10-4
f = 1 kHz
Current Gain-Bandwidth Product
fT
VCE = 20 V, IC = 20 mA
300
——
MHz
f = 100 MHz
Output Capacitance
COBO
VCB = 10 V, f = 1 MHz, IE = 0
——
8.0
pF
Input Capacitance
CIBO
VEB = 0.5 V, f = 1 MHz, IC = 0
——
25
pF
Note: (1) Pulse test: pulse width
≤ 300 s, cycle ≤ 2%
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