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参数资料
| 型号： | MPS2222A/E7 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| 封装： | PLASTIC, TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 26K |
| 代理商： | MPS2222A/E7 |
MPS2222A
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88231
www.vishay.com
10-May-02
3
200
+30V
-4 V
< 2 ns
0
C * < 10 pF
S
C
< 10 pF
S
*
200
1.0 to 100
s, DUTY CYCLE ≈ 2%
1.0 to 100
s, DUTY CYCLE ≈ 2%
+30V
+16 V
-2 V
1k
1k
Scope rise time < 4ns
*Total shunt capacitance of test jig,
connectors and oscilloscope
< 20 ns
0
+16 V
-14 V
Switching Time Equivalent Test Circuit
Figure 1 - Turn-On Time
Figure 2 - Turn-Off Time
Electrical Characteristics (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
VCE = 10 V, IC = 1 mA,
5.0
—
35
Output Admittance
hoe
f = 1 kHz
S
VCE = 10 V, IC = 10 mA,
25
—
200
f = 1 kHz
VCE = 10 V, IC = 1 mA,
50
—
300
Small Signal Current Gain
hfe
f = 1 kHz
—
VCE = 10 V, IC = 10 mA,
75
—
375
f = 1 kHz
Collector Base Time Constant
rb’CC
IE = 20 mA, VCB = 20 V,
——
150
ps
f = 31.8 MHz
Noise Figure
NF
VCE = 10 V, IC = 100
A,
——
4.0
dB
RS = 1 k
, f = 1 kHz
Delay Time (see Fig. 1)
td
IB1 = 15 mA, IC = 150 mA
——
10
ns
VCC = 30 V VBE = –0.5 V
Rise Time (see Fig. 1)
tr
IB1 = 15 mA, IC = 150 mA
——
25
ns
VCC = 30 V VBE = –0.5 V
Storage Time (see Fig. 2)
ts
IB1=IB2 =15 mA, IC = 150 mA
——
225
ns
VCC = 30 V
Fall Time (see Fig. 2)
tf
IB1 = IB2 = 1 mA, IC = 10 mA
——
60
ns
VCC = 30 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS2222A | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| MPS2222A/E7 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MPS2222ARL | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2222ARLE | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
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