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参数资料
| 型号： | MPS2222A |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MPS2222A |
NPN SILICON PLANAR
SWITCHING TRANSISTOR
ISSUE 2 APRIL 94
FEATURES
* 40 Volt VCEO
* Fast switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
75
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
40
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6V
Continuous Collector Current
IC
800
mA
Power Dissipation at Tamb=25°C
Ptot
500
mW
Operating and Storage Temperature Range
Tj:Tstg
-55 to +175
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V(BR)CBO
75
V
IC=10A, IE=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)CEO
40
V
IC=10mA, IB=0
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V(BR)EBO
6V
IE=10A, IC=0
Collector Cut-Off Current
ICBO
10
nA
A
VCB=60V, IE=0
VCB=60V, IE=0, Tamb=150°C
Emitter Cut-Off Current
IEBO
10
nA
VEB=3V, IC=0
Collector-Emitter Cut-Off
Current
ICEX
10
nA
VCE=60V, VEB(off)=3V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
VCE(sat)
0.3
1.0
V
IC=150mA, IB=15mA*
IC=500mA, IB=50mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
VBE(sat)
0.6
1.2
2.0
V
IC=150mA, IB=15mA*
IC=500mA, IB=50mA*
Static Forward Current
Transfer Ratio
hFE
35
50
75
35
100
50
40
300
IC=0.1mA, VCE=10V*
IC=1mA, VCE=10V
IC=10mA, VCE=10V*
IC=10mA, VCE=10V, Tamb=-55°C
IC=150mA, VCE=10V*
IC=150mA, VCE=1V*
IC=500mA, VCE=10V*
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300s. Duty cycle ≤ 2%
E-Line
TO92 Compatible
C
B
E
MPS2222A
3-66
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT CONDITIONS.
Transition
Frequency
fT
300
MHz
IC=20mA, VCE=20V
f=100MHz
Output Capacitance
Cobo
8pF
VCB=10V, IE=0, f=140KHz
Input Capacitance
Cibo
25
pF
VEB=0.5V, IC=0 f=140KHz
Delay Time
td
10
ns
VCE=30V, VBE(off)=0.5V
IC=150mA, IB1=15mA
(See Delay Test Circuit)
Rise Time
tr
25
ns
Storage Time
ts
225
ns
VCE=30V, IC=150mA
IB1= IB2=15mA
(See Storage Test Circuit)
Fall Time
tf
60
ns
MPS2222A
Scope:
Rin > 100 k
Cin < 12 pF
Rise Time < 5 ns
0
0.5V
9.9V
Generator rise time <2ns
Pulse width (t1)<200ns
Duty cycle = 2%
+30V
200
619
DELAY AND RISE TEST CIRCUIT
+30V
1N916
-3V
1K
Scope:
Rin > 100 k
Cin < 12 pF
Rise Time < 5 ns
-13.8 V
=500s
=100s
<5ns
+16.2 V
0
Duty cycle = 2%
STORAGE TIME AND FALL TIME TEST CIRCUIT
3-67
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