参数资料
型号: MPS2369AG
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装: CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
文件页数: 3/3页
文件大小: 130K
代理商: MPS2369AG
MPS2369 MPS2369A
http://onsemi.com
1191
t1
+10.6 V
< 1.0 ns
0
-1.5 V
PULSE WIDTH (t1) = 300 ns
DUTY CYCLE = 2.0%
3.0 V
270
3.3 k
CS* < 4.0 pF
t1
+10.75 V
0
-4.15 V
< 1.0 ns
PULSE WIDTH (t1) = 300 ns
DUTY CYCLE = 2.0%
3.0 V
270
3.3 k
CS* < 4.0 pF
t1
+6.0 V
0
-4.0 V
< 1.0 ns
PULSE WIDTH (t1) = 300 ns
DUTY CYCLE = 2.0%
10 V
980
500
CS* < 3.0 pF
Figure 1. ton Circuit
Figure 2. toff Circuit
Figure 3. Storage Test Circuit
*Total shunt capacitance of test jig and connectors.
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PDF描述
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参数描述
MPS2369ARLRP 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPS2369ARLRPG 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPS2369ASTOA 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPS2369ASTOB 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPS2369ASTZ 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2