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参数资料
| 型号： | MPS6513 |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR) |
| 中文描述： | npn型（放大器晶体管） |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | MPS6513 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MPS-65-13.5 | 功能描述:线性和开关式电源 63.5W 13.5V 4.7A RoHS:否 制造商:TDK-Lambda 产品:Switching Supplies 开放式框架/封闭式:Enclosed 输出功率额定值:800 W 输入电压:85 VAC to 265 VAC 输出端数量:1 输出电压（通道 1）:20 V 输出电流（通道 1）:40 A 商用/医用: 输出电压（通道 2）: 输出电流（通道 2）: 安装风格:Rack 长度: 宽度: 高度: |
| MPS6513_D26Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6513_D74Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6513_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6513C | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NPN TRANSISTOR |
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