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参数资料
| 型号： | MPS6652RLRE |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | MPS6652RLRE |
Amplifier Transistors
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
MPS6601/6651
MPS6602/6652
VCEO
25
40
Vdc
Collector–Base Voltage
MPS6601/6651
MPS6602/6652
VCBO
25
30
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEBO
4.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
1000
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
625
5.0
mW
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
(1)
200
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
83.3
°C/W
1. RqJA is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductort
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
March, 2001 – Rev. 2
837
Publication Order Number:
MPS6601/D
NPN
MPS6601
MPS6602
PNP
MPS6651
MPS6652
*ON Semiconductor Preferred Device
*
CASE 29–11, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
*
Voltage and current are negative
for PNP transistors
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
NPN
PNP
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS6651RLRE | 1000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6652RL1 | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6652RLRM | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6601RLRP | 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6652ZL1 | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPS6652RLRP | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors |
| MPS6652RLRPG | 功能描述:TRANS PNP GP BIPO 40V TO-92 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| MPS66R-5000 | 功能描述:以太网和电信连接器 6P6C SHIELDED SOLID ROUND 50u RoHS:否 制造商:Pulse 产品:Modular Jacks 性能类别: USOC 代码:RJ45 位置/触点数量: 安装风格:Through Hole 端口数量:1 x 1 型式:Female 屏蔽: 电流额定值: 电压额定值: 触点电镀: 外壳材料:Thermoplastic IP 等级: |
| MPS66RX-1000 | 功能描述:以太网和电信连接器 MPG 6P6C SH RD SD RoHS:否 制造商:Pulse 产品:Modular Jacks 性能类别: USOC 代码:RJ45 位置/触点数量: 安装风格:Through Hole 端口数量:1 x 1 型式:Female 屏蔽: 电流额定值: 电压额定值: 触点电镀: 外壳材料:Thermoplastic IP 等级: |
| MPS66RX-5000 | 功能描述:以太网和电信连接器 6P6C SHIELDED SOLID ROUND 50u RoHS:否 制造商:Pulse 产品:Modular Jacks 性能类别: USOC 代码:RJ45 位置/触点数量: 安装风格:Through Hole 端口数量:1 x 1 型式:Female 屏蔽: 电流额定值: 电压额定值: 触点电镀: 外壳材料:Thermoplastic IP 等级: |
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