参数资料
型号: MPS6717ZL1
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装: PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN
文件页数: 12/34页
文件大小: 331K
代理商: MPS6717ZL1
MPS6717
2–606
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 50 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
(IC = 250 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
hFE
80
50
250
Collector – Emitter Saturation Voltage
(IC = 250 mAdc, IB = 10 mAdc)
VCE(sat)
0.5
Vdc
Base – Emitter On Voltage
(IC = 250 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
VBE(on)
1.2
Vdc
SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
Collector–Base Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Ccb
30
pF
Small–Signal Current Gain
(IC = 200 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 20 MHz)
hfe
2.5
25
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
100
80
60
40
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 125°C
25
°C
–55
°C
VCE = 1.0 V
300
500
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 2. Collector Saturation Region
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
V
OL
TA
G
E
(V
OL
TS)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
10
1.0
TJ = 25°C
IC = 10 mA
0.05
0.2
0.5
2.0
5.0
20
100 mA
250 mA
50
mA
50
500 mA
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. “On” Voltages
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.5
1.0
200
20
TJ = 25°C
VBE(on) @ VCE = 1.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
5.0
10
50
100
VBE(sat) @ IC/IB = 10
2.0
500
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