- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录98031 > MPS6724RLRM (ON SEMICONDUCTOR) 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MPS6724RLRM |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件页数： | 23/34页 |
| 文件大小： | 328K |
| 代理商： | MPS6724RLRM |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页当前第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页
MPS6724 MPS6725
2–610
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
1.0
5.0
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
2.0
1.0
0.8
0.6
0.2
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.04
10
20
7.0
5.0
2.0
,SMALL–SIGNAL
CURRENT
GAIN
h
FE
10
500
20
4.0
0.1
40
1.0
3.0
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
TJ = 25°C
Cobo
Cibo
VCE = 5.0 V
TJ = 25°C
f = 100 MHz
100
500
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.6
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–1.0
–2.0
–3.0
–4.0
–5.0
–6.0
200
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
5.0
10
20
50
TJ = 25°C
100
500
5.0
200
7.0 10
20
50
qVB FOR VBE
q
°
VCE(sat) @ IC/IB = 1000
VBE(on) @ VCE = 5.0 V
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)
V
Figure 4. “ON” Voltages
Figure 5. Temperature Coefficients
Figure 6. High Frequency Current Gain
Figure 7. Capacitance
VBE(sat) @ IC/IB = 1000
7.0
300
30
70
300
30
70
*qVC FOR VCE(sat)
25
°C TO 125°C
–55
°C TO 25°C
25
°C TO 125°C
–55
°C TO 25°C
*APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE/3.0
0.2
0.4
2.0
4.0
20
10
0.4
50
100
200
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS6726ZL1 | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6726RL1 | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6727RL | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6727RLRM | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6727RL1 | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPS6725 | 功能描述:达林顿晶体管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPS6725G | 功能描述:达林顿晶体管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPS6725RLRP | 功能描述:达林顿晶体管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPS6725RLRPG | 功能描述:达林顿晶体管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPS6726 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。