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参数资料
| 型号： | MPS901RLRP |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | MPS901RLRP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPQ2907 | 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116 |
| MWT-H16-12 | KA BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| MTP20N06UA | 20 A, 60 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MPS3906RL | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MTP20N06A16A | 20 A, 60 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPS91550F | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
| MPS91550F04 | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
| MPS918 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 12V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS918_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors NPN Silicon |
| MPS918G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 12V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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