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参数资料
| 型号： | MPSA06/D11Z |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 719K |
| 代理商： | MPSA06/D11Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA12/D89Z{OPTION18} | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA13/D11Z{OPTION18} | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6514/D26Z | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MJE5731N | 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE5740WD | 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSA06DA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | CHIP |
| MPSA06DB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | CHIP |
| MPSA06DC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | CHIP |
| MPSA06G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA06G-T92-B | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN TRANSISTOR |
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