参数资料
型号: MPSA42-18R
厂商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装: TO-92-18R, 3 PIN
文件页数: 5/6页
文件大小: 406K
代理商: MPSA42-18R
相关PDF资料
PDF描述
MPS2369RLRB 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MJE15031AJ 8 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MP6801 10 A, 60 V, 0.115 ohm, 6 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MPSA64-18F PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA56/D10Z-5 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MPSA42-A 功能描述:两极晶体管 - BJT 300mA 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42-AB3-R 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MPSA42-AP 功能描述:两极晶体管 - BJT 300mA 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42-BK 制造商:DIOTEC 制造商全称:Diotec Semiconductor 功能描述:High voltage Si-epitaxial planar transistors
MPSA42-BP 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:NPN Silicon High Voltage Transistor 625mW