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参数资料
| 型号： | MPSA56/D10Z-5 |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 23K |
| 代理商： | MPSA56/D10Z-5 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MF-10KDS-R13-0-71 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MJD350T4 | 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MPS706K | 200 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MA42025 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MJE13007AJ | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSA56DA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | CHIP |
| MPSA56DB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | CHIP |
| MPSA56DC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | CHIP |
| MPSA56G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA56G-T92-B | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:PNP MPSA56 |
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