参数资料
型号: MPSA64T/R
厂商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装: PLASTIC, SPT, SC-43, 3 PIN
文件页数: 1/6页
文件大小: 52K
代理商: MPSA64T/R
DATA SHEET
Product specication
Supersedes data of 1999 Apr 27
2004 Oct 11
DISCRETE SEMICONDUCTORS
MPSA64
PNP Darlington transistor
book, halfpage
M3D186
相关PDF资料
PDF描述
MPSA64RLRP 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA64RL 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA62ZL1 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA62RLRE 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA63RL 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
MPSA65 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darl Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
MPS-A65 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON RANSISTORS
MPSA65_D26Z 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darl Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
MPSA65_D27Z 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darl Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
MPSA65_D75Z 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darl Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel