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参数资料
| 型号： | MPSA70RL1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/37页 |
| 文件大小： | 490K |
| 代理商： | MPSA70RL1 |
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2–658
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Amplifier Transistor
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCEO
–40
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
–4.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
–100
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
625
5.0
mW
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
200
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
83.3
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = –1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
–40
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IE = –100 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
–4.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = –30 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
–100
nAdc
1. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms; Duty Cycle v 2.0%.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MPSA70
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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