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参数资料
| 型号： | MPSA77 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | MPSA77 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE251 | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MM3005LEADFREE | 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| MPS6507 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSH30 | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MMBTA42TRL13 | 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSA77_D26Z | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA77_D74Z | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA77_D75Z | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darl Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA77_Q | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA77D26Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans Darlington PNP 60V 1.2A 3-Pin TO-92 T/R |
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