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参数资料
| 型号： | MPSA77P |
| 厂商： | ZETEX PLC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TO-92 COMPATIBLE, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 19K |
| 代理商： | MPSA77P |
PNP SILICON PLANAR MEDIUM
POWER DARLINGTON TRANSISTOR
ISSUE 1 JUNE 94
FEATURES
*
60 Volt V
CEO
*
Gain of 10k at I
C
=100mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-60
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-60
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-10
V
Continuous Collector Current
I
C
-500
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
625
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-60
V
I
C
=-100
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-60
V
I
C
=-100
μ
A, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-10
V
I
E
=-10
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-100
nA
V
CB
=-50V, I
E
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CES
-500
nA
V
CE
=-50V
Emitter Cut-Off
Current
I
EBO
-100
nA
V
EB
=-10V, I
C
=0
Collector-Emitter
On Voltage
V
CE(sat)
-1.5
V
I
C
=-100mA, I
B
=-0.1mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(on)
-2
V
I
C
=-100mA, V
CE
=-5V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
10k
10k
I
C
=-10mA, V
CE
=-5V*
I
C
=-100mA, V
CE
=5V*
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
E-Line
TO92 Compatible
MPSA77P
3-83
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA92 | PNP Silicon High Voltage Transistor |
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| MPSA92 | 1000000 SYSTEM GATE 1.5 VOLT FPGA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MPSA77PSTOB | 功能描述:达林顿晶体管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA77PSTZ | 功能描述:达林顿晶体管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA77RLRA | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA77RLRAG | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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