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参数资料
| 型号： | MPSA92 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000000 SYSTEM GATE 1.5 VOLT FPGA |
| 中文描述： | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 649K |
| 代理商： | MPSA92 |
MPSA92
www.
mc c semi
.c om
M C C
Figure 1. DC Current Gain
Figure 2. Capacitance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
150
90
70
50
30
10
TJ = 25
°
C
VCE = 20 Vdc
F = 20 MHz
f
T
1
Figure 3. Current–Gain — Bandwidth
130
21
C
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.1
100
0.1
10
1.0
10
1000
Cib @ 1MHz
100
1.0
Ccb @ 1MHz
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
1.4
0.0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
100
10
0.1
1.0
110
3
5
7
9
19
17
15
13
11
VBE(on) @ 25
°
C, VCE = 10 V
VBE(on) @ 125
°
C, VCE = 10 V
VBE(on) @ –55
°
C, VCE = 10 V
VCE(sat) @ 25
°
C, IC/IB = 10
VCE(sat) @ 125
°
C, IC/IB = 10
VCE(sat) @ –55
°
C, IC/IB = 10
VBE(sat) @ 25
°
C, IC/IB = 10
VBE(sat) @ 125
°
C, IC/IB = 10
VBE(sat) @ –55
°
C, IC/IB = 10
Figure 4. ”ON” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
300
0.1
1.0
10
250
200
150
0
h
TJ = +125
°
C
25
°
C
–55
°
C
VCE = 10 Vdc
100
50
100
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA92 | 1000000 SYSTEM GATE 1.5 VOLT FPGA |
| MPSA92 | 1500000 SYSTEM GATE 1.5 VOLT FPGA |
| MPSA92M | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| MPSA92 | High Voltage Transistors(PNP Silicon) |
| MPSA92 | High Voltage Transistors |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPS-A92 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:PNP SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
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| MPSA92 T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA92,116 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA92,126 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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