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参数资料
| 型号： | MPSH30 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/24页 |
| 文件大小： | 1994K |
| 代理商： | MPSH30 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA42TRL13 | 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MPSA42M1TA | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MJ10004 | 20 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJ15016 | 15 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MPS-A64 | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSH31 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | TO-92 |
| MPSH32 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | TO-92 |
| MPSH34 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| MPSH34_D26Z | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN Radio Freq Trans RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| MPSH34_D75Z | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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