参数资料
型号: MPSW01RLRA
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装: TO-226AE, 3 PIN
文件页数: 3/3页
文件大小: 137K
代理商: MPSW01RLRA
MPSW01 MPSW01A
http://onsemi.com
902
Figure 5. Current Gain — Bandwidth Product
Figure 6. Capacitance
Figure 7. Active Region — Safe Operating Area
50
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
300
200
70
50
30
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
80
60
40
0
1.0
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)
500
100
50
TJ = 25°C
f
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
20
100
10
Cobo
5.0
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
200
1000
100
20
15
25
20
10
20
200
1 k
5.0
2.0
10
20
30 40
I C
,CURRENT-GAIN
-
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
2.0
Cibo
1.0
4.0
3.0
5.0
TA = 25°C
TC = 25°C
VCE = 10 V
TJ = 25°C
f = 20 MHz
Cibo
Cobo
DUTY CYCLE ≤ 10%
MPSW01
MPSW01A
100 ms
1.0 s
1.0 ms
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
相关PDF资料
PDF描述
MPSW01ARL1 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW01RL 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW01ARL 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW01RLRM 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW01ZL1 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
MPSW05 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 60V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSW05_10 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Amplifier Transistors
MPSW05G 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 60V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSW06 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSW06_D26Z 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2