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参数资料
| 型号： | MPSW01RLRF |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 97K |
| 代理商： | MPSW01RLRF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW01RLRB | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW01ARL1 | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW01ARL | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW06D75Z | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| MPSW06D26Z | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSW05 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 60V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW05_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Amplifier Transistors |
| MPSW05G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 60V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW06 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW06_D26Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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