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参数资料
| 型号： | MPSW45A |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon(NPN型达林顿晶体管) |
| 中文描述： | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | LEAD FREE, CASE 29-10, TO-226, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | MPSW45A |
MPSW45, MPSW45A
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage
(I
C
= 100 Adc, V
BE
= 0)
MPSW45
MPSW45A
V
(BR)CES
40
50
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 100 Adc, I
E
= 0)
MPSW45
MPSW45A
V
(BR)CBO
50
60
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 10 Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
12
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 30 Vdc, I
E
= 0)
(V
CB
= 40 Vdc, I
E
= 0)
MPSW45
MPSW45A
I
CBO
100
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 10 Vdc, I
C
= 0)
I
EBO
100
nAdc
ON CHARACTERISTICS
(Note 1)
DC Current Gain
(I
C
= 200 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 500 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 5.0 Vdc)
h
FE
25,000
15,000
4,000
150,000
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 1.0 Adc, I
B
= 2.0 mAdc)
V
CE(sat)
1.5
Vdc
BaseEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 1.0 Adc, I
B
= 2.0 mAdc)
V
BE(sat)
2.0
Vdc
BaseEmitter On Voltage
(I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 5.0 Vdc)
V
BE(on)
2.0
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product
(I
C
= 200 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
f
T
100
MHz
CollectorBase Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
1. Pulse Test: Pulse Width
C
cb
6.0
pF
300 s; Duty Cycle
2.0%.
R
S
i
n
e
n
IDEAL
TRANSISTOR
Figure 1. Transistor Noise Model
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