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参数资料
| 型号： | MPSW45A |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon(NPN型达林顿晶体管) |
| 中文描述： | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | LEAD FREE, CASE 29-10, TO-226, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | MPSW45A |
MPSW45, MPSW45A
http://onsemi.com
4
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
Figure 6. Capacitance
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
5.0
7.0
10
20
3.0
Figure 7. High Frequency Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 9. Collector Saturation Region
I
B
, BASE CURRENT ( A)
2.0
200k
5.0
0.04
4.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
T
J
= 25
°
C
C
1.5
2.0
2.5
3.0
1.0
0.5
|
h
V
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
C
ibo
C
obo
0.5
1.0
2.0
0.5
10
20
50
100
200
500
V
CE
= 5.0 V
f = 100 MHz
T
J
= 25
°
C
100k
70k
50k
30k
20k
10k
7.0k
5.0k
3.0k
2.0k
7.0
10
20
30
50 70
100
200
300
500
T
J
= 125
°
C
25
°
C
55
°
C
V
CE
= 5.0 V
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500 1000
T
J
= 25
°
C
I
C
= 10 mA
50 mA
250 mA
500 mA
Figure 10. “On” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 11. Temperature Coefficients
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.6
5.0
1.0
V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
7.0
10
20
30
50 70 100 200 300
500
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 1000
R
θ
°
T
J
= 25
°
C
V
BE(on)
@ V
CE
= 5.0 V
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 1000
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200 300
500
25
°
C TO 125
°
C
55
°
C TO 25
°
C
*R
VC
FOR V
CE(sat)
VB
FOR V
BE
25
°
C TO 125
°
C
55
°
C TO 25
°
C
*APPLIES FOR I
C
/I
B
≤
h
FE
/3.0
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