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参数资料
| 型号： | MR0A08BCYS35 |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 11/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 1MBIT 35NS 44TSOP |
| 标准包装： | 135 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 44-TSOP II |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 819-1000 |
MR0A08B
Read Mode
Table 9 – Read Cycle Timing
Parameter 1
Read cycle time
Address access time
Enable access time 2
Output enable access time
Output hold from address change
Enable low to output active 3
Output enable low to output active 3
Enable high to output Hi-Z 3
Output enable high to output Hi-Z 3
Symbol
tAVAV
tAVQV
tELQV
tGLQV
tAXQX
tELQX
tGLQX
tEHQZ
tGHQZ
Min
35
-
-
-
3
3
0
0
0
Max
-
35
35
15
-
-
-
15
10
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes:
1. W is high for read cycle. Power supplies must be properly grounded and decoupled, and bus contention conditions must be
minimized or eliminated during read or write cycles.
2.
3.
Addresses valid before or at the same time E goes low.
This parameter is sampled and not 100% tested. Transition is measured ±200 mV from the steady-state voltage.
Copyright ? 2013 Everspin Technologies
11
MR0A08B Rev. 8, 10/2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR0D08BMA45R | IC MRAM 1MBIT 45NS 48BGA |
| MR256A08BCYS35R | IC MRAM 256KB 35NS 44TSOP |
| MR256D08BMA45R | IC MRAM 256KB 45NS 48BGA |
| MR25H10CDF | IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN |
| MR25H256CDF | IC MRAM 256KBIT 40MHZ 8DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR0A08BCYS35R | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR0A08BMA35 | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR0A08BMA35R | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR0A08BSO35 | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR0A08BSO35R | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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