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参数资料
| 型号： | MR0A08BCYS35 |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 13/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 1MBIT 35NS 44TSOP |
| 标准包装： | 135 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 44-TSOP II |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 819-1000 |
MR0A08B
Write Mode
Table 10 – Write Cycle Timing 1 ( W Controlled )
Parameter 1
Write cycle time 2
Address set-up time
Address valid to end of write ( G high)
Address valid to end of write ( G low)
Write pulse width ( G high)
Write pulse width ( G low)
Data valid to end of write
Data hold time
Write low to data Hi-Z 3
Write high to output active 3
Write recovery time
Symbol
tAVAV
tAVWL
tAVWH
tAVWH
tWLWH
tWLEH
tWLWH
tWLEH
tDVWH
tWHDX
tWLQZ
tWHQX
tWHAX
Min
35
0
18
20
15
15
10
0
0
3
12
Max
-
-
-
-
-
-
-
-
12
-
-
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes:
1.
2.
3.
All write occurs during the overlap of E low and W low. Power supplies must be properly grounded and decoupled and bus
contention conditions must be minimized or eliminated during read and write cycles. If G goes low at the same time or after
W goes low, the output will remain in a high impedance state. After W or E has been brought high, the signal must remain
in steady-state high for a minimum of 2 ns. The minimum time between E being asserted low in one cycle to E being as-
serted low in a subsequent cycle is the same as the minimum cycle time allowed for the device.
All write cycle timings are referenced from the last valid address to the first transition address.
This parameter is sampled and not 100% tested. Transition is measured ±200 mV from the steady-state voltage. At any given
voltage or temperate, t WLQZ (max) < t WHQX (min)
Copyright ? 2013 Everspin Technologies
13
MR0A08B Rev. 8, 10/2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR0D08BMA45R | IC MRAM 1MBIT 45NS 48BGA |
| MR256A08BCYS35R | IC MRAM 256KB 35NS 44TSOP |
| MR256D08BMA45R | IC MRAM 256KB 45NS 48BGA |
| MR25H10CDF | IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN |
| MR25H256CDF | IC MRAM 256KBIT 40MHZ 8DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR0A08BCYS35R | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR0A08BMA35 | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR0A08BMA35R | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR0A08BSO35 | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR0A08BSO35R | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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