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参数资料
| 型号： | MR0A08BYS35R |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 7/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 1MBIT 35NS 44TSOP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 44-TSOP II |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MR0A08B
OPERATING CONDITIONS
Table 4 – Operating Conditions
Parameter
Power supply voltage
Write inhibit voltage
Input high voltage
Input low voltage
Symbol
V DD
V WI
V IH
V IL
Min
3.0 1
2.5
2.2
-0.5 3
Typical
3.3
2.7
-
-
Max
3.6
3.0 1
V DD + 0.3 2
0.8
Unit
V
V
V
V
Temperature under bias
MR0A08B (Commercial)
MR0A08BC (Industrial)
T A
0
-40
70
85
°C
Notes:
1. There is a 2 ms startup time once V DD exceeds V DD, (max). See “Figure 3 – Power Up and Power Down
Diagram” .
2. V IH (max) = V DD + 0.3 V DC ; V IH (max) = V DD + 2.0 V AC (pulse width ≤ 10 ns) for I ≤ 20.0 mA.
3. V IL (min) = -0.5 V DC ; V IL (min) = -2.0 V AC (pulse width ≤ 10 ns) for I ≤ 20.0 mA.
Copyright ? 2013 Everspin Technologies
7
MR0A08B Rev. 8, 10/2013
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MR0A16ACMA35R | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR0A16ACTS35C | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR0A16ACYS35 | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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