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参数资料
| 型号： | MR2510 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 91K |
| 描述： | DIODE 25A 1000V MICRO BUTTON |
| 标准包装： | 5,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 25A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.18V @ 78.5A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 1000V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | Microde 按钮 |
| 供应商设备封装： | Microde 按钮 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | MR2510OS |
MR2502, MR2504, MR2510
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Characteristic
Symbol
MR2502
MR2504
MR2510
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
200
400
1000
Volts
Non±Repetitive Peak Reverse Voltage
(Halfwave, single phase, 60 Hz peak)
VRSM
240
480
1200
Volts
Average Rectified Forward Current
(Single phase, resistive load, 60 Hz, TC
= 150
°C)
IO
25
Amps
Non±Repetitive Peak Surge Current
(Surge applied at rated load conditions, halfwave,
single phase, 60 Hz)
IFSM
400 (for 1 cycle)
Amps
Operating and Storage Junction Temperature Range
TJ, Tstg
65 to +175
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
(Single Side Cooled)
RθJC
1.0
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristics and Conditions
Symbol
Max
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage
(iF
= 78.5 Amps, T
C
= 25
°C)
vF
1.18
Volts
Maximum Reverse Current (rated dc voltage)
TC
= 25
°C
TC
= 100
°C
IR
100
500
μA
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MR2512 | 制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:AUTOMOTIVE RECTIFIER DIODES |
| MR2512L | 制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:AUTOMOTIVE RECTIFIER DIODES |
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