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参数资料
| 型号： | MR2510 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 91K |
| 描述： | DIODE 25A 1000V MICRO BUTTON |
| 标准包装： | 5,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 25A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.18V @ 78.5A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 1000V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | Microde 按钮 |
| 供应商设备封装： | Microde 按钮 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | MR2510OS |
MR2502, MR2504, MR2510
http://onsemi.com
3
Figure 1. Forward Voltage
Figure 2. Non±Repetitive Surge Current
Figure 3. Forward Voltage Temperature
Coefficient
Figure 4. Current Derating Figure 5. Forward Power Dissipation
0.8 1.0 1.4 1.6 2.0 2.21.8 2.4
0.6
vF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
700
500
20
50
10
NUMBER OF CYCLES
100
60
1.0
300
100
80
iF, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMP)
0.5 5.0 501.0
-2.0
0.2
+0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
2.0
130 140135
0
125
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
40
30
20
10
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMP)
10
0
50
40
30
10
0
20 30 5040
i
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMP)
I
°
COEFFICIENT (mV/ C)
5.0
2.0
1.0
1.2
2.0 5.0 10 20 50
200
400
600
10 20 100 200
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMP)
I
F(AV)
145 155150
50
20
P
F(AV)
, AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS)
2.6
7.0
100
70
0.2
0.5
0.7
200
30
3.0
0.3
300
, PEAK HALF WAVE CURRENT (AMP)
FSM
160 165 175170
MAXIMUM
TYPICAL
TJ
= 25
°C
TYPICAL RANGE
f = 60 Hz
TJ
= 175
°C
25°C
SINE WAVE
I(FM)
20
CAPACITIVE
I(AV)
LOADS
Capacitive
Loads
5.0
10
20
dc
I(FM)
(SineWaveResistiveLoad)
I(AV)
SINE WAVE
RESISTIVE LOAD
SQUARE
WAVE
dc
5.0
10
1 CYCLE
VRRM
MAY BE APPLIED BETWEEN
EACH CYCLE OF SURGE. THE TJ
NOTED IS TJ
PRIOR TO SURGE
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PDF描述 |
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参数描述 |
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