参数资料
| 型号： | MR2535L |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE TVS SURGE 6A 20V AXIAL |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 21/Jun/2007 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 20V |
| 电压 - 击穿： | 24V |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 按钮，轴向 |
| 供应商设备封装： | Microde 按钮 |
| 包装： | 散装 |
MR2535L
1.20
1.18
1.16
1.14
1.12
1.10
1.08
1.06
1.04
1.02
1.00
PW = 80 m S, T L = 25 ° C
10 20
30
40
50
60
70
80
90
100 110 120
I RSM , REPETITIVE PEAK REVERSE SURGE CURRENT (A)
Figure 11. Typical Clamping Factor
dl/dt Limitation
2 W
100 m H
0 ? 150 V
50 mF
MR2535L
Figure 12. Load Dump Test Circuit
100
dl/dt < 1 A/ m s
80
60
40
20
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
t (37%) = Time Constant
t (50%)
t (37%)
t (10%)
t (50%) = 0.7 t (37%)
t (10%) = 2.3 t (37%)
t, TIME (S)
Figure 13. Load Dump Pulse Current
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 0034.7208 | FUSE 200MA 250V 8.5X8.5 T 18.8 |
| MMB21-0201PU | CONN RACK/PANEL 20POS 5A |
| LT1990CS8#TRPBF | IC AMP DIFF +/-250V MCRPWR 8SOIC |
| LTC6084HDD#PBF | IC AMP R-R CMOS DUAL 10-DFN |
| 0034.7207 | FUSE 160MA 250V 8.5X8.5 T 18.8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR2535LG | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6A 24-32V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| MR2535LRL | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6A 24-32V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| MR2535LRLG | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6A 24-32V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| MR2535S | 制造商:Motorola Inc 功能描述:Transient Suppressor Diode, Single, Uni-Directional, 20 Volt |
| MR2540 | 制造商:SHINDENGEN 制造商全称:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:Standby Compatible Partial Resonance Power Supply IC Module with High-speed IGBT |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。